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定义

开关损耗(Switching-Loss)包括开通损耗(Turn-on Loss)和关断损耗(Turn-of Loss),常常在硬开关(Hard-Switching)和软开关(Soft-Switching)中讨论。

开通损耗(Turn-on Loss),是指非理想的开关管在开通时,开关管的电压不是立即下降到零,而是有一个下降时间,同时它的电流也不是立即上升到负载电流,也有一个上升时间。在这段时间内,开关管的电流和电压有一个交叠区,会产生损耗,这个损耗即为开通损耗。

导通损耗与关断损耗,两者与工作频率关系不大,谁占主导取决于通断的占空比。与开关频率相关的主要是过渡过程的损耗。这要看开通及关断上升及下降斜率,当上升下降斜率一定时,频率越低,所占时间比率越小。
例如脉宽50微秒。上升下降各为2微秒。占比为4/50 如果脉宽变为20微秒,上升下降时间不变。占比就是4/20

首先要知道输出整流管有哪些损耗?

1 开关损耗—通和关断并不是瞬间完成,过渡过程存在 电压和电流存在重叠区—>使用软开关技术

2 导通损耗—  RDS(on)—>选择Rdson小的管子

3 驱动损耗— 导通之前,驱动芯片在对MOS的栅极充电电荷量Qg—>选择Qg小的管子

所以你要:

1 使用软开关技术

2 找Rdson小的管子

3 找Qg小的管子

2,3各个供应商不能兼顾,往往2好的3就差,所以你要看一下你的电路里面那个损耗更多点就主要降那个。导通损耗一般由功率拓扑和选用MOS的Rdson决定,值得指出的是,导通损耗开关损耗驱动损耗Pgate存在一定的权衡关系,由于 MOS的Qg和Rdson成反比,而驱动损耗Qg大小一定程度上又与开关损耗成反比。所以,需要选择合适而不是最小Rdson的MOS

MOS管开关管损耗计算方法公式及解释-KIA MOS管

MOS管开关管损耗计算方法公式及解释-KIA MOS管

人们对MOS管开关电源的要求越来越高,要求开关电源的体积越来越小,这也意味着开关频率越来越高。随着开关频率的提高,降低变换器的开关损耗也变得极其重要。

一、 MOS管开关管损耗计算

MOS管是开关电源中常见器件之一,在评估开关电源效率的时候,对于MOS管的选型十分重要,如果选择的MOS不合适,电路该部分的发热会非常严重,影响效率。因此,在考虑到设计开关电源的效率时,MOS管的损耗是不容忽视的一部分。下面将详细计算MOS管的损耗。

二、MOS管的损耗来源

(1)MOS开关损耗

MOS在开关电源中用作开关器件,顾名思义,MOS会经常的开通和关断。MOS管开关管损耗计算由于电压和电流都是模拟量,这个世界也是模拟的世界,电压和电流都不能突变,将MOS管比如成一个“水龙头”就很好理解MOS管的第一部分损耗:开关损耗

当我们在打开水龙头或者关闭水龙头的时候,并不是等到我们完全打开龙头的阀门,水才出来,也不是等到我们完全关断水龙头,才没有水流出。在我们操作的过程中,其实都有水在流出或者是慢慢停止。对于MOS也是这样,流过MOS管的电流就像是水流,加在MOS管VDS间的电压就像是水龙头的阀门。

因此,MOS管开关损耗产生的本质原因是由于MOS开通和关断并不是瞬间完成,电压和电流存在重叠区。开通过程如图所示:

MOS管开关管损耗计算

开通过程如上图所示,从电流Id从0开始上升到VDS减小为0为止,为MOS管的开通过程,如上图的1点到2点所示。

(2)MOS导通损耗

理想的电压源我们不计其内阻,理想的运算放大器我们不计流入运放的电流,同样,理想的开关,我们将其等效为电阻为0的导线。但是在实际使用过程中,MOS开通后,是存在一定阻值的,这个阻值会随着VGS电压的变化而变化,当MOS完全开通时,电阻才基本等效为一定固定的电阻。

因此,MOS管损耗的第二部分就是导通损耗 ,产生导通损耗的本质原因是实际使用的MOS管不能等效为电阻为0的器件,导通时的内阻是会造成MOS管发热的原因之一。

导通损耗的计算主要是导通时的电流,内阻 RDS(on)。

(3)MOS管驱动损耗

从图1可以看出,在1点之前,也就是电流从0上开始上升的前,这一部分MOS还没开通,既不存在开关损耗,也不存在导通损耗,但是由于这部分时间,驱动芯片在对MOS的栅极充电,这也是损耗的一种形式,并归为MOS的损耗,即驱动损耗。

因此,MOS的驱动损耗与驱动芯片的驱动功率有关,和MOS管的选型有关– 栅极充电电荷(Qg)。

:MOS管栅极电荷Qg的概念解析 什么是Qg,MOS管Qg的概念解析-KIA MOS管

三、MOS管开关管损耗计算实例

(1)基于BUCK电源计算

buck电路_buck电路输出电压公式_奋斗的Brandon的博客-CSDN博客

假设现在有一降压电源,参数如下:

输入:Uin=12V

输出:Uout=1.8V

开关频率:f=500K

负载电流:Io=20A

纹波系数:r=0.4

降压系数:D=Uout/Uin=0.15

选择的MOS管为凌特的BSC050N03,参数如下

MOS管开关管损耗计算

MOS管开关管损耗计算

MOS管开关管损耗计算

下面计算该开关电源的MOS损耗。

一、MOS管损耗

(1)导通损耗

MOS管导通损耗的计算公式为:P=I^2R= Iqsw* Iqsw*Rds(on)* D= 20*20*(6×10^3)*(1.8/12)=0.36W

(2)开关损耗

开关损耗的计算公式:Psw=1/2* Vin*Iout *Fsx(Qgs2+Qgd)/Ig。

如果只计算开通损耗有:Psw=0.5*12(20-4)500k * (6n/5)=0.576W

如果只计算关断损耗有:Psw=0.5*12*(20+4)*500k * (6n/1)=0.432W

Ig由选择的驱动芯片决定,LTC3883,驱动电压Vgs=5V

(3)驱动损耗

Pgate=VgQgfs=5*13n*500k=0.0325W

开关管的总损耗:P=0.36+0.576+0.432+0.0325=1.4W

MOS管损耗组成:

MOS管损耗组成-MOS管损耗如何计算及计算公式-百能云芯 – 知乎
导通损耗Pon+截止损耗Poff+开启过程损坏+关断过程损耗+驱动损坏Pgs+Coss电容的泄放损耗Pds+体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f+体内寄生二极管反向恢复损耗Pd_recover

mosfet的开关损耗计算_二极管功耗怎么算[通俗易懂]

电子元器件设计或选择前,会对MOS管工作过程进行模拟,并对损耗先期计算;

MOS管每种损耗计算方法
开启过程损耗
公式:Poff_on= fs×∫ TxVDS(off_on)(t) × ID(off_on)(t) × dt
开启过程 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_on)(t) 交叉波形如下图所示:

mosfet的开关损耗计算_二极管功耗怎么算[通俗易懂]

实际计算主要两种假设
A :VDS(off_on)(t)开始下降与 ID(off_on)(t)逐渐上升同时发生;
公式:Poff_on=1/6 × VDS(off_end) × Ip1× tr × fs
B:VDS(off_on)(t)下降是从 ID(off_on)(t)上升到最大值后才开始。
(可作最恶劣模式的计算值)
公式:Poff_on=1/2 × VDS(off_end) × Ip1 × (td(on)+tr) × fs
C:FLYBACK 架构路中一 MOSFET 实际测试到的波形,其更接近于 (A) 类假设。

关断过程损耗
如下图所示
预计得到关断完成后之漏源电压=VDS(off_beginning)
关断时刻前负载电流=IDS(on_end)
Ip2 ,VDS(on_off)(t),IDS(on_off)(t)重叠时间为Tx
公式:Poff_on= fs×∫ TxVDS(on_off)(t) × IDS(on_off)(t) × dt

mosfet的开关损耗计算_二极管功耗怎么算[通俗易懂]

实际计算
A:Poff_on=1/6 × VDS(off_beginning) × Ip2 × tf × fs
B:Poff_on=1/2 × VDS(off_beginning) × Ip2 × (td(off)+tf) × fs
(作最恶劣模式计算值)

导通损耗Pon
MOS管完全开启后负载电流即漏源电流IDS(on)(t)在导通电阻 RDS(on)上产生压降引起损耗。
公式:Pon=IDS(on)rms2× RDS(on)× K × Don

截止损耗Poff
MOS管完全截止后在漏源电压 VDS(off) 应力下产生漏电流 IDSS引起损耗。
损耗公式:Poff=VDS(off)× IDSS×( 1-Don)

驱动损坏Pgs
栅极接受驱动电源进行驱动引起损耗;
损耗公式:Pgs= Vgs × Qg × fs

体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f
MOS管体内寄生二极管在承载正向电流时因正向压降引起损耗;
损耗公式:Pd_f = IF × VDF × tx × fs
二极管承载的电流量=IF, 二极管正向导通压降=VDF , 一周期内二极管承载电流时间=tx

体内寄生二极管反向恢复损耗Pd_recover
MOS管体内寄生二极管承载正向电流后因反向压致反向恢复引起损耗;
损耗公式:Pd_recover=VDR × Qrr × fs
为二极管反向压降=VDR 二极管反向恢复电量=Qrr

Coss电容泄放损耗Pds
MOS输出电容 Coss 截止时储蓄电场能于导同期间在漏源极上泄放损耗。
损耗公式:Pds=1/2 × VDS(off_end)2× Coss × fs

MOS 管的损耗可以通过计算其电流损耗和功率损耗来估算。

电流损耗是指在 MOS 管内部通过电流时产生的损耗,这是由于电子在通过 MOS 管时与硅基材产生电阻损耗。这种损耗可以通过如下公式计算:

I_loss = I_drain × R_on

其中 I_drain 是 MOS 管的漏源电流,R_on 是 MOS 管的导通电阻。

功率损耗是指在 MOS 管进行开关操作时产生的损耗,这是由于 MOS 管内部的电容量需要进行充放电操作。这种损耗可以通过如下公式计算:

P_loss = C_gd × V_gs^2 × f_sw

其中 C_gd 是 MOS 管的漏源电容,V_gs 是 MOS 管的栅源电压,f_sw 是 MOS 管的开关频率。

因此,MOS 管的总损耗可以通过以下公式计算:

P_total = I_loss × V_ds + P_loss

其中 V_ds 是 MOS 管的漏源电压。

以上是 MOS 管损耗的基本计算方法,实际计算时需要考虑到具体的工艺和器件参数等因素。

今天的文章mosfet的开关损耗计算_二极管功耗怎么算[通俗易懂]分享到此就结束了,感谢您的阅读。

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