先进工艺下,SEB(Statistical EM Budgeting )分析详解

先进工艺下,SEB(Statistical EM Budgeting )分析详解SEB StatisticalE 分析在先进工艺的芯片设计中至关重要 尤其是对于 FinFET 器件

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原理:

SHE(self-heating effects)

1.由于3D鳍片结构FinFET较窄且基板中的导热系数较低,FinFET器件上局部温度高于平面MOS器件,这将显著降低互连线的寿命。

2.BEOL(线/通孔)焦耳热,FEOL(器件)耦合热

3.上图可以看出,主要考虑三种:线与线的耦合热;器件与线的耦合;线上的焦耳热

SEB Flow:

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FIT:自热温度对金属寿命的影响。工具根据metal属性和电流计算的失效率,我们得到的结果是芯片中所有的metal加起来的total fit(一般要求小于1,大于1需要定位问题) 

SEB Result</

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编程小号
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