本篇文章的具体内容：
1. 初步认识Flash
2. Flash写入多个数
3. 读取Flash中存储的数值
一、初步认识FLASH
如果想要实现掉电存储，首要的任务就是找到一个地方可以存放这些数据，当这些数据发生改变的时候，把数据存放进去，并且保证上电后不会被擦除。这么一来，等在次上电之后，通过读取掉电前存储的数据，实现掉电存储功能。
可以存放数据的地方可分为在两种片上flash和片外flash，常见的片上闪存有EEPROM，片外的存储芯片有W25QXXX。本篇文章使用的是直接在FLASH中存储。根据不同的芯片类型，闪存的大小都是不一样的。如下图（其他博客截取来的）：
主控芯片的内存一般可分为8块：存放初始化程序的固化部分、数据段、代码段、堆空间、栈空间等。掉电存储数据的地方在第0块中的某个位置（0X0800 0000 ~0X0808 0000,这个的大小对应芯片闪存大小）只要存放的数据不超出这个范围，一切都好说。
二、FLASH写入数据
通过对上面的了解，大概知道了存放的位置。之后就可以向这个位置里面为所欲为啦？当然不是。下面以STM32标准库为例，你需要在工程里面加入stm32f10x_flash.c文件，这个文件抱恨了很多对flash操作的方法，我们只需要调用这些方法才可以为所欲为。（膜拜驱动大佬）。
怎么实现为所欲为呢？一般有两种：读和写。
写入：检查状态–>解锁–>擦除–>写入–>上锁–>完事。
读取：解锁–>读取–>上锁–>完事。
有了这个函数之后，在封装一个函数，把想要存储的变量数据对应放到一个数组里面，然后将整一个数组写到flash中，实现最终的写入功能。
三、读取FLASH中存储的数据
通过上面的写入函数，就可以把数据写入到flash中了，之后找到同一个地址，将数据读取出来，读取的长度和写进去的长度一致，之后将数据存到一个数组当中，再将数组的值对应赋值给保存进来的时的变量，就可以实现读取功能。
最后，只需要在主程序中的适当位置，调用闪存写入函数（一般是当数据发生改变时写入）。但尽量减少写入的次数，flash的读写次数在十万次左右。
STM32实现掉电保存功能的详细工程点击即可跳转下载。
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌侵权/违法违规的内容， 请发送邮件至 举报，一经查实，本站将立刻删除。
如需转载请保留出处：https://bianchenghao.cn/bian-cheng-ri-ji/43814.html