金红石型TiO2单晶基片|金红石光学极二氧化钛(TiO2)单晶
金红石双折射大,折射率大,是一种用于光谱棱镜和偏振器件(如光隔离器和分束器)的很好材料,与YVO4相比,TiO2晶体物理化学稳定性更好。
生长方法:火焰法
晶体结构:四方
晶格常数:a=4.5936Å c=2.9582 Å
密 度:4.26g/cm3
硬 度:7(mohs)
热 容:0.17(25℃)
透 过:0.5~4.5um
折 射 率:no=2.47 ne=2.73 at λ=1.3um
热光系数:dη/dT:a:-0.72×106/k c:-0.42×10-6/k
线膨胀系数:a:7.14×106 c:9.19×106
氧化镓单晶衬底|Ga2O3单晶衬底
氧化镓单晶是一种透明的超宽禁带氧化物半导体材料,禁带宽度约为 4.8 eV,击穿电场强度高达8 MV/cm,远高于硅(1.1 eV, 0.3 MV/cm)、砷化镓(1.4 eV, 0.4 MV/cm)、碳化硅(3.3 eV, 2.5 MV/cm)、氮化镓(3.4 eV, 3.3 MV/cm)等半导体材料,还具有独特的紫外透过特性(紫外透过率可达 80%以上)以及低的能量损耗、高的热稳定性和化学稳定性等优点,是制造高温高频高功率微电子器件、日盲紫外光电探测器、紫外透明导电电极的优选半导体材料。
氯化镓(Gallium(III) chloride)是一种化学品,分子式是GaCl₃。
性状:
白色针状晶体,空气中遇湿气水解而发烟,气体在270℃左右以二聚物存在。
溶解性:极易溶于水,放出大量热。易溶于苯、四氯化碳、二硫化碳等有机溶剂中,溶于液氨形成氨络合物。
技术特征:
1.一种氧化镓衬底,单晶表面的线状凹坑的密度的平均值为1000个/cm2以下。
2.氧化镓衬底,所述单晶中的有效载流子浓度在1×1017[/cm3]~1×1020[/cm3]的范围内。
3.的氧化镓衬底,所述单晶中的有效载流子浓度在2.05×1017[/cm3]~2.23×1019[/cm3]的范围内。
以上资料来自小编axc,2022.04.19
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