一直以来,对于粒子的洗涤效果,以去除率(PRE:Particle Removal Efficiency)为指标进行讨论。通过使用由颗粒测量仪器测量的晶片上的颗粒数量、柱(清洁后)值和初始(清洁前)值来描述PRE。本指标对于讨论洗涤方法之间的差异是有效的,但是为了调查相同洗涤条件下的微粒子去除效果的粒径依赖性,需要在样品上下功夫。我们采用了一种方法,即使用微粒涂覆装置改变粒径,在同一晶片上只涂覆已知量的颗粒。 图1显示了2300 NPT-1器件示意图和在300mm晶圆上涂覆40、60、80、100、200nm的PSL(聚苯乙烯胶乳)颗粒,用SP2测量的结果。图2显示了使用SURF monitor的同一晶圆的PRE计算方法的概念图。考虑到SP2测量环境和洗涤效率,设定了颗粒直径和颗粒数量(密度)的条件。此外,虽然这次采用了PSL球,但是该涂覆装置具有可以引入其他颗粒(例如二氧化硅和氮化硅)的优点。
双流体清洗:
图1显示了PRE对40nm和200nm两个PSL粒子的氮流量依赖性。200nm PSL颗粒表现出高PRE而没有极端的流速依赖性。当氮的流速低时,40nm PSL颗粒表现出低PRE,但是当氮的流速高时,可以改善PRE。然而,通常,在双流体清洁的氮气高流速条件下,物理力变大,因此图案损坏的发生概率增加。
图1PRE的N2流量依赖性(40nm/200nm PSL)
单张超声波清洗:
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