ddr4内存延迟_ddr4内存频率时序对照

ddr4内存延迟_ddr4内存频率时序对照SpeedGrade(DataRate/CL-tRCD-tRP)-1066Mbps/7-7-7-800Mbps/5-5-5DataRate数据速率800,1066,1333,1600,甚至2000MHzCL-tRCD

Speed Grade ( DataRate/CL-tRCD-tRP)
– 1066 Mbps / 7-7-7
– 800 Mbps / 5-5-5

 

DataRate   数据速率 800,1066,1333,1600,甚至2000MHz

CL-tRCD-tRP  时序

1、CL(CAS Latency):“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”(可能的选项:1.5/2/2.5/3)
    BIOS中可能的其他描述为:tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。这个参数很重要,内存条上一般都有这个参数标记。在BIOS设置中DDR内存的CAS参数选项通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3” 几种选择,SDRAM则只有“2”、“3”两个选项。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统,我们应当尽量把CAS参数调低。反过来,如果内存运行不稳定,可以将此参数设大,以提高内存稳定性。

2、tRCD(RAS-to-CAS Delay)“行寻址至列寻址延迟时间”(可能的选项:2/3/4/5)
    BIOS中的可能其他描述: tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。数值越小,性能越好。

3、tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间”(可能的选项:2/3/4)
    BIOS中的可能其他描述:tRP、RAS Precharge、Precharge to active。预充电参数越小则内存读写速度就越快。

4.tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”(可能的选项:1……5/6/7……15)
    BIOS中的可能其他描述:tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等 

转载于:https://www.cnblogs.com/shanyong/p/4699308.html

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