ADS入门学习笔记——低噪声放大器(1)「建议收藏」

ADS入门学习笔记——低噪声放大器(1)「建议收藏」1、晶体管分析;2、偏置电路设计;3、稳定性、增益和噪声分析;_ads低噪声放大器设计

低噪声放大器的主要作用是放大天线从空中接收到的微弱信号,减小噪声干扰,是小信号放大器。处于多级级联放大器的第一级,是提高接收机灵敏度的关键。

 

系统接收灵敏度的计算公式:

S_{min}=-144(\frac{dBm}{Hz})+NF+10lgBW(MHz)+\frac{S}{N}(dB)

一个低噪声放大器的性能主要包括噪声系数NF、合理的增益G和稳定性,多级级联放大器的噪声系数公式:

NF=NF_1+\frac{NF_2-1}{G_1}+\frac{NF_3-1}{G_1G_2}+...

其中,噪声系数NF定义如下:

NF=\frac{S_{in}/N_{in}}{S_{out}/N_{out}}

分子为输入端的信号功率和噪声功率,分母为输出端的信号功率和噪声功率,信号通过放大器猴,由于放大器产生噪声,使信噪比变小的倍数就是噪声系数,对单极放大器来说,噪声系数为:

NF=NF_{min}+4R_n\frac{\left | \Gamma _s-\Gamma _{opt} \right |}{(1-\left | \Gamma _s \right |^2)\left | 1-\Gamma _{opt} \right |^2}

NF_{min}是晶体管最小噪声系数,由放大器本身决定,\Gamma _{opt}R_n\Gamma _s分别是获得NF_{min}时的最佳源反射系数、晶体管等效噪声电阻和晶体管输入端的源反射系数。由于噪声系数很小,在某些噪声系数不方便表示的场合,常用噪声温度表示:

N=KT_sB

式中,K为玻尔兹曼常量,Ts为有效温度,单位为K,B是带宽,单位是Hz。

NF(dB)=10lg(1+(\frac{T_s}{T_0}))

其中,Ts是放大器噪声温度,T0=290K。

低噪声放大器都是按照噪声最佳匹配进行设计的,噪声最佳匹配点并非最大增益点,这种情况下的增益称为相关增益。

放大器的稳定性:

设计射频放大器时,必须考虑稳定性。由于反射波存在,射频放大器有产生振荡的倾向,不再发挥放大器的作用。放大器的稳定性是指放大器抑制环境变化,维持正常工作特性的能力。放大器反射系数的模大于1将导致不稳定,因此放大器稳定意味着反射系数的模小于1,即:

\left | \Gamma _S \right |<1,\left | \Gamma _L \right |<1,\left | \Gamma _{in} \right |<1,\left | \Gamma _{out} \right |<1

绝对稳定条件:

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\left | S_{11} \right |^2<1-\left | S_{11}S_{22} \right |\\ \left | S_{22} \right |^2<1-\left | S_{12}S_{21} \right |

其中,D=S_{11}S_{22}-S_{12}S_{21},K是稳定性判别系数,K>1为稳定状态,当以上三个条件都满足时,才能保证放大器绝对稳定。

低噪声放大器的设计步骤:

1、选择合适的晶体管:S参数,噪声系数,功率输出等;

2、计算K值,根据K的大小,确定稳定条件,画出\Gamma _L,\Gamma_S史密斯圆图与稳定判别圆相对位置;

3、设计直流偏置电路,验证稳定性;

4、完成电路设计并验证稳定性。

晶体管分析

1.新建原理图,选择设计模板【ads_templates:DC_BJT_T】;

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 2.添加晶体管【MMBR941】到原理图,连接到电路并进行仿真;

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 设计指标

  • 中心频率1.8GHz,工作频段为1.7GHz~1.9GHz。
  • 噪声系数小于2.7。
  • 输入驻波比小于1.6。
  • 输出驻波比小于1.6。
  • 增益大于10dB。

选择晶体管MMBR941设计低噪声放大器。

偏置电路设计

1、Design Guide设计电路

  • 新建原理图,放入MMBR941模型,在原理图元件面板选择【Transistor Bias】→【BJT-Bias】插入原理图,选择【Sources-Freq Domain】→【V_DC】插入原理图,并连接;

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  • 执行【Design Guide】→【Amplifier】→【Tools】选择【Transistor Bias Utility】,点击【OK】;

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 点击【Design】,有8种偏置网络可选,这里选择第三种,点击【OK】自动生成偏置网络;

  • 进入偏置网络子电路查看结构与参数;

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2、Equations设计电路

  • 新建原理图,选择【BJT_curve_tracer】模板,将【VAR】中VCE修改为5V,删掉【PARAMETER SWEEP】,添加【MMBR941】到添加到原理图,修改直流仿真控制器设置;

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  •  在晶体管基极和集电极连线处插入两个节点【VE】和【VC】,连接电路;

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  •  执行仿真,在弹出的数据显示表中选择列表显示IBB、VBE和IC.i的扫描数据;

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 插入偏置电阻计算公式

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 数据显示列表选择【Equations】

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 选择

R_1=28.2\Omega \\ R_2=5113.6\Omega \\ R_3=70.2\Omega \\ R_4=1875\Omega

  • 设计偏置网络

新建原理图,将晶体管【MMBR941】添加到原理图,插入【V_DC】设置电压为6V,插入4个电阻将电阻值设置为上面的值,插入【DC】直流仿真控制器,连接起来进行仿真;

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 3.稳定性和增益分析

在【Lumped-Components】选择扼流电感【DC Feed】元件插入4次到原理图中,选择隔直电容【DC Blok】插入3次到原理图中,在S参数面板上插入S参数仿真元件,插入稳定性因子控件【Stab Fact】和最大增益控件【Max Gain】;

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运行仿真,视窗选择【Rectangular Plot】,选择【Max Gain】和【Stab Fact】作图;

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 在1GHz~2.6GHz,稳定性因子k>1,绝对稳定;在1.8GHz最大增益为11.509。

4.噪声系数圆和增益圆分析

在原理图中,打开S参数仿真控件SP,选择【Calculate Noise】,执行仿真,画出【NFmin】图;

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 打开S参数仿真控件SP,设置为1.8GHz单频点仿真,加入【GaCircle】和【NsCircle】,更改控件参数

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分别表示为在maxgain、maxgain-0.5dB、maxgain-1dB的三个等增益圆,NFmin、NFmin+0.1dB、NFmin+0.2dB的三个等噪声圆;

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m4为最大增益点,增益为11.509dB,m5为最小噪声点,噪声系数为2.577dB,最小噪声点与最大增益点不重合,设计时需要权衡。

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