基本电路
1.三管动态RAM
读操作
通过预充电信号，使T4打通
VDD通过T4给读数据线充电，读数据线高电平1
读选择线有效，T2导通
如果没有电容，则Cg为0，T1为0，读数据线保持高电平
保存0，读出1
如果Cg有电，那么T1导通，读数据由原来的高电平1，通过T2、T1(接地) 放电后，成为低电平0
保存1，读出0
读出与原存信息相反
写操作
写选择先导通，T3导通
如果写入1，则通过写数据线，再通过T3写入Cg。Cg是高电平。
如果写入0，则通过写数据线，再通过T3写入Cg。Cg是低电平。
写入与输入的信息相同
2.单管动态RAM
如果被选中，字线控制T打开
如果电容为0，则数据线无电流
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