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低功耗设计基础：Multi-Vth

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低功耗设计基础：Multi-Vthhttps zhuanlan zhihu com p 静态漏电流主要部分为 sub threshold Vth Vt 越大 对应的 Isub 越小 反之 Isub 就越大

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静态漏电流主要部分为sub-threshold：
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Vth(Vt)越大，对应的Isub越小，反之Isub就越大。进一步地说，就是Vth越小，leakage power越大，Vth越大，leakage power越小。同时我们知道Vth还与器件的速度息息相关，那我们就可以总结出Vth与速度，leakage之间满足如下关系：
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例如高通芯片大小核采用更低的VTH域值CMOS管，而LP CPU(处理音频和SENSOR)采用更高的VTH.

今天的文章 低功耗设计基础：Multi-Vth分享到此就结束了，感谢您的阅读。
编程小号
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