反激电路计算公式（反激电路参数计算）

1、.（1）性能指标：输入交流最小电压：Vacmin = 120V输入交流最大电压：Vacmax = 253V输入直流最小电压：输入直流最大电压：开关频率：Rt = 8.2KCt = 1nF开关周期：fs = 104kHz输出电压纹波精度：Vrr = 1% 期望效率：=0.8主输出额定电压：Vo0=5V主输出额定电流：Io0=1A主输出额定功率：Po0=Vo0Io0=5W辅助输出电压V1：Vo1=12V辅助输出电流I1：Io1=0.03A辅助输出功率Po1：Po1=Vo1Io1=0.36W辅助输出电压V1供芯片启动电压：辅助输出电压V2：Vo2=12V辅助输出电流I2：Io2=0.3A辅助输出功率

2、Po2：Po2=Vo2Io2=3.6WV2给图腾柱供电：辅助输出电压V3：Vo3=15V辅助输出电流I3：Io3=0.3A辅助输出功率Po3：Po3=Vo3Io3=4.5WV3给芯片UC3875供电：PO = PO0 + PO1 + PO2 + PO3 = 13.46W2、占空比和反射电压最大占空比Dmax = 0.4 Tonmax = Dmax*TS = (3.846*10-6) s反射电压开关管最大标称电压Vdcnom = Vdcmax + Vro = 470.933V公式反推占空比公式推导 Vi * D = Vo * ( 1 - D)3、变压器初级电感量推导过程：（1）输入电流平均

3、值（2）峰值电流公式（3）电感公式计算 4、选择功率开关管(1) 开关管最大标称电压Vdcnom = Vdcmax + Vro = 470.933V开关管的选择应保证即使有0.3Vin 漏感尖峰加在开关管上，对开关管仍然有30%的裕量。即：实际上我们一般取输入电压的两倍，所以我们这里取700V。(2)电流计算原边额定电流原边峰值电流（一般MOSFET的电流选取最少为峰值电流的35倍）开关管峰值电流电流有效值（为了计算开关管损耗用到有效值） DCM模式下，,即初级电流从零增大到Ip.因为原边电流都是正值,所以平均值等于有效值,根据有效值计算公式,因为原边电流只在0到DT内有,所以积分

4、范围是0到DT,电流跟时间的关系用线性方程表示即I（t）=(Ip/Ton)t.经过计算即可得到你提出的峰值电流Ip与平均电流I的关系.如果是连续模式,则电流跟时间的关系则不能用该式表示.5、确定磁芯（3-9）其中为视在功率（计算功率），一般比实际功率大。根据次级电路的不同，开关电源变压器可以由输出功率PO计算视在功率Pt 。Ku为窗口填充系数，一般为0.2 - 0.4。Ku = 0.3Kw为输入波形系数，正弦波取4.44，方波取4。Kd是电流密度，X指数与磁芯有关。这两个可以通过查询磁芯结构常数表获得。一般直接将取为 1.14，电流密度Kd一般取300500A/cm2，我们可以直接取400

5、（注意单位要变换）。（1）全桥整流输出（3-10）（2）全波整流输出（3-11）（3）推挽结构变换器（3-12）上图中C1即为X 。KB是磁感应强度系数，一般取0.41之间，我们以后都取为0.5. 其中Pt=30W ，Ku=0.3 Kw=4.44 AP中分子上10的四次方来源：（因为厘米在分母上，所以换算成米是乘以104）将这个代入公式算出来的单位是M4 ，因此需要乘以10的8次方换算成CM2 ,10的8次方与电流密度中的10的4次方约去，就成为了我们最后见的分子上10的4次方。选择EE2835AP = 0.8525cm4 APAP 符合设计要求Aw = 98.10mm26、原边匝数匝7、副边每组匝数二极管导通压降VF = 0.7V主输出匝数比主输出匝数Np = 54 Ns = 3辅助输出VO1匝数 Ns1 = 7辅助输出VO2匝数 Ns2 = 7辅助输出VO3匝数 Ns3 = 88、核算最大导通时间Tonmax9、变压器次级电感 Lp = 1.317mH主输出电感量辅助输出电感量10、次级整流二极管的选择主输出路二极管耐压值主输出最大电流平均值辅助输出路二极管耐压值辅助输出最大电流平均值 11、整流输出电容设稳压精度为1%戈鲁汶波电压为各输出电容为12、变压器原副边线径选择设电流密度为由得原边路径R0 副边路径R1 副边路径

反激电路计算公式（反激电路参数计算）

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