金融界2024年10月30日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器件及其形成方法”的专利，公开号 CN A，申请日期为 2023 年 5 月。
专利摘要显示，本公开提供了一种存储器件，可以应用于三维AND闪存件。存储器件包括基底、第一堆叠结构、第二堆叠结构、通道结构、绝缘柱、通孔以及导电层。基底具有存储器阵列区与阶梯区。第一堆叠结构配置在存储器阵列区的基底上，其中第一堆叠结构包括交替堆叠的多个第一介电层和多个栅极。第二堆叠结构配置在阶梯区的基底上，其中第二堆叠结构包括交替堆叠的多个第二介电层和多个阶梯。通道结构贯穿存储器阵列区中的第一堆叠结构。绝缘柱贯穿所阶梯区中的第二堆叠结构。通孔贯穿阶梯区中的绝缘柱。导电层环绕绝缘柱的侧壁。
本文源自：金融界
作者：情报员
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