计算机组成原理系列（三）：计算机存储器结构体系详解

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前言

生活中经常听到这句话“一分钱一分货，哪有那么多又便宜又好用”，在计算机存储体系中，也是如此，存储速度越快的，也就越贵，而且是呈指数的贵。计算机存储呈如下金字塔排布。

理想情况下，我们肯定希望拥有无限大的内存容量，这样就可以立刻访问任何一个特定的机器字，但我们不得不认识到有可能需要构建分层结构的存储器，每一层次容量都要大于前一层次，但其访问速度也要更慢一些。

你是不是经常被以下名词弄得晕头转向。ROM/RAM/DRAM/SRAM/SDRAM/DDR SDRAM等等，下面，我尽力以上图为参考，从上到下，说明各个层次存储器的特点和区别，并对它们的工作原理做一些简要的说明

1.寄存器（Register）

寄存器是CPU中的一部分。它是一个高速存贮部件，可以用来暂存指令、数据和地址。每个CPU中有多个寄存器，例如8086CPU中含有14个寄存器。

寄存器是CPU的内部组成单元，是CPU运算时取指令和数据最快的地方。它可以用来暂存指令、数据和地址。在CPU的控制部件中，包含的寄存器有指令寄存器（IR）和程序计数器（PC）。CPU的算术逻辑部件中，包含的寄存器有累加器（ACC）。下图中蓝色小框里面，全是寄存器。

2.高速缓存（Cache）与主存

2.1 引入cache的目的

计算机在运行程序时，首先将程序从磁盘读取到主存，然后CPU按规则从主存中取出指令，数据并执行指令，但是直接从主存（一般是DRAM）中读写是很慢的，所以引入了高速缓存（Cache）。

在程序运行前首先会试图将指令，数据从主存中读取到Cache中，然后在程序执行时直接访问Cache，如果指令和数据可以从Cache中读取到，那么就说是“命中（hit）”，反之就是“不命中（miss）”，miss情况下需要从主存中读取指令或者数据，这样会直接影响CPU的性能，所以命中率对CPU来说至关重要。

现代处理器一般有三层cache，分别称为L1 cache、L2 cache、L3 cache。L1 cache离CPU核最近，存储信息的读取速度接近CPU核的工作速度，容量较小，一般分成I-cache和D-cache两块，分别存储指令和数据；L2 cache比L1更远，速度慢一些，但是容量更大，不分I-cache和D-cache；L3更慢、更大，现在流行多核处理器，L3一般由多个处理器核共享，而L1、L2是单核私有的。

实际上cache是一个广义的概念，可以认为主存是磁盘的cache，而CPU内cache又是主存的cache，使用cache的目的就是伪造出一个容量有低层次存储器（如磁盘）那么大，而速度又有寄存器（如通用寄存器）那么快的存储器，简单来说就要让存储单元看起来又大又快。

2.2 cache的理论基础

cache之所以能work，主要基于两个认识，即程序运行时数据具有时间局部性和空间局部性。

时间局部性是指一个数据如果当前被使用到，那么接下去一段时间它很可能被再次用到；空间局部性是指一个数据如果当前被使用到，那么接下去一段时间它周围的数据很可能也会被用到，比如数组。

2.3 Cache的组成方式

cache容量较小，所以数据需要按照一定的规则从主存映射到cache。一般把主存和cache分割成一定大小的块，这个块在主存中称为data block，在cache中称为cache line。 举个例子，块大小为1024个字节，那么data block和cache line都是1024个字节。当把主存和cache分割好之后，我们就可以把data block放到cache line中，而这个“放”的规则一般有三种，分别是“直接映射”、“组相联”和“全相联”。

直接映射

直接映射采用“取模”的方式进行一对一映射。举个例子，如果cache中共有8个cache line，那么0、8、16、24…号data block会被映射到0号cache line中，同理1、9、17….号data block会被映射到1号cache line中，具体可以参考下面的关系图。

组相联：

直接映射中主存中的每一个data block都有一个确定的cache line进行映射，这是有缺陷的。当程序连续读取0、8、0、8号data block的数据时，因为只有一个cache line供映射，所以当第二次读取0号block时，第一次读到cache中的0号block早被顶替出去了，这时候又会产生miss，miss会极大地影响执行效率。

为了解决上面的问题，提出使用“组相联”的方式。组相联的主存-cache对应关系见下图。

根据上图我们很容易发现比起直接映射，组相联翻倍了block可以映射的cache line的数量，图上数量为2，我们称每两个cache line为一个cache set。

全相联

全相联是极端的组相联，即cache只有一个cache set。每一个data block都可以存进任何一个cache line。下图是对应关系。

2.4.RAM与ROM

计算机中按存储类型划分为随机存储器（Random Access Memory, RAM）和只读存储器（Read Only Memory, ROM）

（1）随机存储器（Random Access Memory, RAM）

RAM是一种可读/写存储器，其特点是存储器的任何一个存储单元的内容都可以随机存取，而且存取时间域存储单元的物理位置无关。
（2）只读存储器（Read Only Memory, ROM）

顾名思义，ROM只能对其存储的内容读出，不能对其重新写入。因此，通常用它存放固定不变的程序、常数、汉字字库等。存放在ROM设备中的程序通常称为固件(firmware)。比如我们计算机的BIOS，就是存放在ROM中的。　　随着半导体技术的发展，出现了可编程只读存储器（Programmable ROM, PROM）、可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable ROM, EPROM）及用电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erassable Programmable ROM, EEPROM）。近年来还出现了闪速存储器（Flash Memory），它基于EEPROM。

高速缓存和主存都是RAM（Random-Access Memory，随机访问存储器），它分为静态的（SRAM）和动态的（DRAM），分别对应高速缓存和主存。

SRAM

SRAM只要储存器保持通电，里面储存的数据就可以保持不变。我们也把它叫做双稳定态，即使有干扰，当干扰消除的时候，电路就会恢复稳定值。它的每个单元都是由六个晶体管电路来实现。如下图。

DRAM

DRAM芯片中的单元被分成d个超单元，每个超单元都由w个DRAM单元组成。一个d*w的DRAM总共就是存储dw位的信息了。（在这里我觉得《深入理解计算机原理》的作者翻译有问题，本书很多地方的翻译都让人读的不够顺畅，这里的有三个‘单元’，其实可以完全还另外一种说法，简单的说就是一个块被分成d个组，每个组都是w个DRAM单元。）超单元被组织成r行c列的长方形阵列，这里d=rc。每个超单元都有形如（i,j）的地址，这里i表示行，j表示列。如下图。

如上图，每个RDAM芯片被连接到某个称为存储寄存器的电路，它的2个addr引脚，携带２位的行和列超单元引脚。当要访问一个超单元时，行地址i称为RAS（Row Access Strobe，行访问选通脉冲）请求。列地址j称为CAS（Column Access Strobe，列访问选通脉冲）请求。两者共享相同的DRAM地址引脚。具体读取过程如下图。

DRAM每个单元是由一个电容和一个访问晶体管组成的，每一位存储就是对一个电容充电。利用电容内部存储电荷的多少来代表这一位是0还是1。但是由于电容有漏电的现象，当有干扰存在时，可能会导致电压被扰乱，从而使数据丢失。所以它需要周期性的充电。由于多种原因导致的漏电，DRAM单元会在10～100毫秒时间内失去电荷。例如由于电容暴露在阳光下会导致电压的改变，利用这一特性，数码相机和摄像机的传感器本质就是DRAM的单元阵列。下表是SRAM和DRAM的对比。

ROM与闪存(flash memory)

ROM(Read OnlyMemory，只读存储器)有的类型是可以读也可以写，但是由于历史原因，统称为只读存储器。它存放的数据非常稳定，断电后所存的数据也不会改变，它的结构相对较简单，读出方便，因而常用于存储各种固定程序与数据。存放在ROM设备中的程序通常称为固件(firmware)。比如我们计算机的BIOS，就是存放在ROM中的。

PROM(ProgrammableROM，可编程ROM) 只能被编程一次。PROM的每个存储器单元有一种熔丝，它只能用高电流熔断一次。

EPROM(ErasableProgrammable ROM，可擦写可编程ROM)有一个透明的石英窗口，允许光到达存储单元。紫外线光通过窗口照射进来，EPROM单元就被清楚为0。EEPROM(Electrically Erasable ROM，电子可擦写ROM)类似于EPROM，但是它不需要一个物理上独立的编程设备，因此可以直接在印制电路卡上编程。

3.磁盘

磁盘包括硬盘和软盘，这里我们以硬盘为例，硬盘是我们最长接触到的存储器之一，拆开后它就长下面这个样子

如果把它的结构图花下来，它就是下面这个样子的。它是由盘片、磁头、盘片主轴、控制电机、磁头控制器、数据转换器、接口、缓存等部分组成的。

下面介绍最重要的几个概念，扇区、磁道、柱面、盘面。

1、盘面

硬盘的盘片一般用铝合金材料做基片，高速硬盘也可能用玻璃做基片。硬盘的每一个盘片都有两个盘面（Side），即上、下盘面，一般每个盘面都会利用，都可以存储数据，成为有效盘片，也有极个别的硬盘盘面数为单数。每一个这样的有效盘面都有一个盘面号，按顺序从上至下从“0”开始依次编号。在硬盘系统中，盘面号又叫磁头号，因为每一个有效盘面都有一个对应的读写磁头。硬盘的盘片组在2～14片不等，通常有2～3个盘片，故盘面号（磁头号）为0～3或 0～5。

2、磁道

磁盘在格式化时被划分成许多同心圆，这些同心圆轨迹叫做磁道（Track）。磁道从外向内从0开始顺序编号。硬盘的每一个盘面有300～1 024个磁道，新式大容量硬盘每面的磁道数更多。信息以脉冲串的形式记录在这些轨迹中，这些同心圆不是连续记录数据，而是被划分成一段段的圆弧，这些圆弧的角速度一样。由于径向长度不一样，所以，线速度也不一样，外圈的线速度较内圈的线速度大，即同样的转速下，外圈在同样时间段里，划过的圆弧长度要比内圈划过的圆弧长度大。每段圆弧叫做一个扇区，扇区从“1”开始编号，每个扇区中的数据作为一个单元同时读出或写入。一个标准的3.5寸硬盘盘面通常有几百到几千条磁道。磁道是“看”不见的，只是盘面上以特殊形式磁化了的一些磁化区，在磁盘格式化时就已规划完毕。

3、柱面

所有盘面上的同一磁道构成一个圆柱，通常称做柱面（Cylinder），每个圆柱上的磁头由上而下从“0”开始编号。数据的读/写按柱面进行，即磁头读/写数据时首先在同一柱面内从“0”磁头开始进行操作，依次向下在同一柱面的不同盘面即磁头上进行操作，只在同一柱面所有的磁头全部读/写完毕后磁头才转移到下一柱面（同心圆的再往里的柱面），因为选取磁头只需通过电子切换即可，而选取柱面则必须通过机械切换。电子切换相当快，比在机械上磁头向邻近磁道移动快得多，所以，数据的读/写按柱面进行，而不按盘面进行。也就是说，一个磁道写满数据后，就在同一柱面的下一个盘面来写，一个柱面写满后，才移到下一个扇区开始写数据。读数据也按照这种方式进行，这样就提高了硬盘的读/写效率。一块硬盘驱动器的圆柱数（或每个盘面的磁道数）既取决于每条磁道的宽窄（同样，也与磁头的大小有关），也取决于定位机构所决定的磁道间步距的大小。

4、扇区

操作系统以扇区（Sector）形式将信息存储在硬盘上，每个扇区包括512个字节的数据和一些其他信息。一个扇区有两个主要部分：存储数据地点的标识符和存储数据的数据段。

在最初的时候，将每个磁道都是分为数目相同的扇区的，扇区的数目都是由最靠近里面的磁道的扇区数来决定的。为了保证每个磁道具有固定的扇区数，那么越往外，它的数据密度就会越低，造成磁盘空间的浪费。现代大容量磁盘使用了一种称为多区记录的技术，说白了就是利用柱面，把相邻的几个柱面分成一个区，（盘面上的磁道都是一个个同心圆，我们将这些同心圆分组，相邻的几个同心圆为一组，扩展到柱面，也是这样分。）一个区中的每个柱面中的每条磁道都有相同数量的扇区，这个扇区的数量是由该区中最里面的磁道所包含的扇区数所确定的。

磁盘操作

磁盘用读/写头来读写存储在磁性表面的位，而读写头连接到一个传动臂一端。通过沿着半径轴前后移动这个传动臂，驱动器可以将读/写头定位到盘面上的任何磁道上。这样的机械运动称为寻道。

在传动臂末端的读/写头在磁盘表面高度大约0.1微米处的一层薄薄的气垫上飞翔，速度大约是80km/h。

磁盘以扇区大小的块来读写数据。对扇区的访问时间有三个主要的部分：寻道时间、旋转时间和转送时间。在访问一个磁盘扇区时，时间主要花在寻道时间和旋转时间，而且寻道时间和旋转时间基本相等。

5.闪存（flash）和固态硬盘（SSD）

闪存(flash memory)是一类非易失性存储器，基于EEPROM，可以对块的存储器单元进行擦写和再编程。任何闪存器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以在大多数情况下，在进行写操作实现必须先执行擦除。闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。如下图。

Flash我们分为NOR和NAND，这两者的区别是什么呢？NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。而NOR型闪存擦除数据仍是基于隧道效应(电流从浮置栅极到硅基层)，但在写入数据时则是采用热电子注入方式(电流从浮置栅极到源极)。NOR的读速度比NAND稍快一些。NAND的写入速度比NOR快很多。由于NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。而大多数写入操作需要先进行擦除操作。所以NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快得多。