一个基本的Senario包括PVT三个要素。
P Process是指Fab在生产过程中工艺、机台等的差异导致芯片的偏差。分为TT SS FF FS SF等这几类情况。
SS:slow NMOS and Slow PMOS
FF:Fast NMOS and Fast PMOS
其余的类推,这里的slow和fast指的是载流子迁移的速度。可以通俗的理解为Fast表示芯片速度快。
V Voltage 指得是芯片的工作电压。例如tt电压为1V ss的电压就是0.9V ff的电压就是1.1V
T Temperature 是指芯片工作的温度。例如tt的温度是0℃ or 25℃。高温就是125℃ 低温一般为-40℃
此外有些Senario还包括其他的工作状态,如DFT mode or Function mode。RC coner,如Cbest RC worst etc。
PVT三者相互组合就形成了如下的Senario。对应的解释如下。
WC:worst case slow,低电压,高温度,慢工艺 -> 一般情况下delay最大,setup 差。
WCL:worst case low-temperature,低电压,低温度,慢工艺 -> 温度反转效应时delay最大,setup差。
LT:即low-temperature,也叫bc(best case fast),高电压,低温度,快工艺 -> 一般情况下delay最小,hold差。
ML:max-leakage,高电压,高温度,快工艺 -> 温度反转效应下delay最小,hold差。
TC:typical,也叫tt,普通电压,普通温度,标准工艺 -> 各种typical。
BC:Best case。高电压,快工艺,常温0℃ or 25℃。
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