光耦应用电路设计方法

常见的光耦应用电路应用如下所示：

假设光耦参数如下：

电流传输比：50%

发光管压降：1.2V

发光管工作电流：0.5-50mA

光电三极管饱和压降：0.7V

DI为输入信号，假定DI输入高时三极管导通，三极管压降为0.7V，光耦工作电流选取1mA，则R1两端的电压为：

VR1=12-0.7-1.2=10.1V；

由R1和发光管串联可知，R1通过的电流等于发光管的电流，IR1=1mA；

由R=U/I，可得：

R1=VR1/IR1=10.1/(1/1000)=10.1KΩ；

光耦电流传输比为50%，则光电三极管的集电极电流等于：

Ic=1*50%=0.5mA；

R2两端的电压为：

VR2=3.3-0.7=2.6V；

由R=U/I可知：

R2=2.6/(0.5*1000)=5.2KΩ，

为保证光电三极管工作在饱和状态，R2阻值需大于5.2KΩ；

此时DO输出端的电压为0.7V。

在实际应用中，R1我们可以选择10KΩ，R2可以选择100KΩ。

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