简述SDS—PAGE的基本原理_psd格式怎么看缩略图

简述SDS—PAGE的基本原理_psd格式怎么看缩略图在使用**APMemory**PSRAM时,常常会碰到**Page、Pagesize**的概念,以及**Rowboundarycrossing**(RBX)功能特性


前言

在使用AP Memory PSRAM时,常常会碰到Page、Page size的概念,以及Row boundary crossing(RBX)功能特性。
而Page到底是什么,了解它又有什么意义?本章会从DDR中row、column、bank结构讲解到Page概念,再引入PSRAM page及RBX特性实验。

一、DDR的Bank、Row、Column、Page

在介绍Page size前,先引入DDR的Bank结构,如下图8个Bank的排布所示。

在这里插入图片描述每个Bank又可以看成一个由行列组成的存储单元表格。
在这里插入图片描述
在DDR进行读写响应前,内部会经历这样一个状态:Activating 。该状态下,DDR会激活其中一个Bank中的其中一行(Row)并把这一行接入放大传感器,为数据的存取作准备。
激活的这一行(Row)包含的数据量,我们称之为Page size,也常称之为一页的大小。期间若想读写其他行的数据,那又必须重新进行Activating。频繁地换行操作肯定会降低读写的效率,因此如何控制在激活的一个Page里操作效率最优,是值得令人思考。

在这里插入图片描述

在JEDEC标准中是这样描述DDR的Page size的,如下图所示。在这里插入图片描述简单来说,DDR Page size的大小仅与Column地址位数、DQ数量有关,而与row、bank数量及DDR总容量无关


二、DDR Page -> PSRAM Page

PSRAM之所以比DDR容量小了很多,是因为DDR有8个Bank,而PSRAM仅有1个。但该容量已可基本满足IOT市场上所有小型设备的需求。此外,不仅减小了控制Bank的Pin脚,而且也省略了相应的选择控制指令
PSRAM依然遵从JEDEC标准定义Page size。其一行内的数据量表示一页的大小。
举个例子,下图是AP Memory一款64Mb OPI PSRAM。
在这里插入图片描述
图中可以看出,该PSRAM有8根I/O数据线,行地址位数有10bit[9:0],Page size为1024Bytes。
根据上面计算公式Page size=2^10*8/8=1024,结果与图中表示一致。

三、跨页访问Row Boundary Crossing(RBX)

通常在PSRAM的一次读写访问中,仅会在当前激活的行内进行读写,且连续突发访问的地址也不会超出当前行的范围。如下图,蓝色箭头为连续突然访问的区域。
在这里插入图片描述若连续突发访问下超出了当前行的边界,会有以下两种可能:1、Wrap——循环访问 2、RBX——跨行访问

1.Wrap——循环访问

在PSRAM寄存器中可进行配置Wrap 16B,32B,64B,1KB。1KB即Page size的大小。
在这里插入图片描述
当配置为1KB Wrap时,连续突发访问超出边界后(行末尾),会自动返回到当前行首地址继续访问内存数据。
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2.RBX——跨页访问

为让用户更加方便与高效地访问地址空间,APM PSRAM拥有RBX特性,可在突发访问至行末时,自动开启下一行,并从下一行首继续访问内存数据。
该特性可省去多次激活行所造成的延时,使内存的访问更加高效。
在这里插入图片描述并不是每颗PSRAM都有RBX功能,所以选型时还需注意型号。
在QSPI PSRAM中,带有’R’字则有RBX特性,如APS1604M-SQR为带RBX功能,APS1604M-SQ则不带。
在OPI PSRAM中,带有’M’字则有RBX特性,如APS6408M-OBM为带RBX功能,APS6408M-OB则不带。


四、FPGA实测RBX特性

AP Memory的某款OPI PSRAM为例,下图为datasheet中经历RBX的时序。
与一般读操作不同的是,在跨页访问时,会有一个tRBXwait延时(约30ns~65ns),**该延时表示正在Activing下一行,**为访问下一行数据作提前准备。该延时在低频时可基本忽略,在高频时会较为明显,但DQS是与数据同步Toggle的,并不会在数据采集时出现问题。
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就此现象,在Modelsim中对psram model进行仿真,在50MHz下进行连续突然访问并跨边界,可从DQS线上观察到tRBXwait时延。
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下图是FPGA实测波形。
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今天的文章简述SDS—PAGE的基本原理_psd格式怎么看缩略图分享到此就结束了,感谢您的阅读。

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