一、实验目的
1、熟悉熟悉非门、或门、异或门。
2、熟悉和掌握数字电路试验箱的基本使用方法。
3、掌握逻辑门电路功能的测试。
4、掌握Cmos芯片和ttl逻辑门芯片电平信号的异同
5、掌握CMOS芯片和ttl芯片输入端悬空的特性。
二、实验要求
1、按照实验指导书完成预习,包括试验箱配套的指导书和试验箱数字电路部分的说明。
2、按老师给出的注意事项操作试验箱
3、按实验步骤完成实验,并填写实验结果。
4、完成最后的实验分析,填写心得体会,完成本报告。
三、实验原理
1,TTL电平:
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。
2,CMOS电平:
1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3,电平转换电路:
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需要电平的转换。
4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。
5,TTL和COMS电路比较:
1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。
3)COMS电路的锁定效应:
COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。
四、实验仪器、设备及材料(实验环境、开发语言、开发平台等)
1.数字电路实验箱、导线、,万用表一只;
2. 件 74LS04×1、74HC04×1、74HCT04×1、74LS86×1、、74LS00×1。
五、实验主要步骤
1、与非门电路连线逻辑图
2、异或门电路连线逻辑图
3、74ls04、74hc04、74hct04电路连接图
4、具体的测试步骤
- 按照实验指导书和试验箱数字电路部分的说明预习,了解实验的基本原理和要求。
- 遵循老师给出的注意事项,操作试验箱,确保实验环境的正确设置和连接。
- 按照实验步骤进行实验。根据实验要求,可能涉及到逻辑门的连接和配置,如与门、或门、非门等。根据实验指导书中提供的电路图和说明,将所需的集成逻辑门电路连接到试验箱中。
- 使用万用表进行测量和测试。根据实验要求,可能需要测量逻辑门的输入和输出电平,确保逻辑门的正常工作。
- 填写实验结果。记录实验中的测量数值、观察到的现象和实验数据等。确保准确记录实验过程中的关键信息。
- 进行实验分析。根据实验结果和观察到的现象,进行实验数据的分析和解释。比较预期结果和实际结果的差异,探讨可能的原因和影响因素。
六、实验结果与分析 1、与非门功能表
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