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一、只读存储器概述
只读存储器(Read-Only Memory,ROM)以非破坏性读出方式工作,只能读出无法写入信息。信息一旦写入后就固定下来,即使切断电源,信息也不会丢失,所以又称为固定存储器。
ROM所存数据通常是装入整机前写入的,整机工作过程中只能读出,不像随机存储器能快速方便地改写存储内容。ROM所存数据稳定 ,断电后所存数据也不会改变,并且结构较简单,使用方便,因而常用于存储各种固定程序和数据。
只读存储器的发展历程
二、只读存储器的类型
1、掩模 ROM ( MROM )——只可读
这种ROM是由制造厂家利用一种掩膜技术写入程序的,掩膜ROM制成后,用户不能修改,根据制造工艺可以将它们分为MOS型和双极型两种。MOS型ROM功耗小、速度慢,适用于一般微机系统;而双极型则速度快、功耗大,适用于速度较高的计算机系统。
上图是掩膜型ROM构成的原理图,图中是个简单的4×4位MOS(或双极型)管ROM,采用单译码结构,A0、A1译码后可译出四种状态,输出4条选择线,可分别选中4个单元,每个单元有4位输出。图中所示的矩阵中,在行和列的交点,有的连有MOS管,有的没有,这是工厂根据用户提供的数据对芯片图形(掩膜)进行二次光刻所决定的,所以称为掩膜ROM。
行列选择线交叉处有 MOS
管为“
1
” ,行列选择线交叉处无 MOS
管为“
0
”
2、PROM (一次性编程)
可编程只读存储器 (英语:Programmable read-only memory),缩写为 PROM 或 FPROM,是一种电脑存储记忆晶片,它允许使用称为PROM编程器的硬件将数据写入设备中。在PROM被编程后,它就只能专用那些数据,并且不能被再编程,这种记忆体用作永久存放程式之用。通常会用于电子游戏机、或电子词典这类可翻译语言的产品之上。
采用破坏性编程,且只能编程一次,如果编程有错误,只能重新购买芯片。
3、EPROM (多次性编程 )
EPROM采用N型沟道浮动栅MOS电路,需要保存0,D端加正电压,形成浮动栅,需要保存1,D端不加正电压,不形成浮动栅。
编程完成后,EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口,很容易识别EPROM,这个窗口同时用来进行紫外线擦除。可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。
4、EEPROM (多次性编程 )
EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息,重新编程。一般用在即插即用。
常用在接口卡中,用来存放硬件设置数据。
也常用在防止软件非法拷贝的”硬件锁”上面。
- 电可擦写
- 局部擦写
- 全部擦写
5、Flash Memory (闪速型存储器)
快闪存储器(英语:flash memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储,以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘。
闪存是一种非易失性存储器,即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM(随机存取存储器)一样以字节为单位改写数据,因此不能取代RAM。
闪存卡(Flash Card)是利用闪存(Flash Memory)技术达到存储电子信息的存储器,一般应用在数码相机,掌上电脑,MP3等小型数码产品中作为存储介质,所以样子小巧,有如一张卡片,所以称之为闪存卡。
几种只读存储器的简单对比:
- EPROM 价格便宜 集成度高——多次编程,紫外线擦除
- EEPROM 电可擦洗重写——局部擦除和全部擦除
- Flash Memory 比 EEPROM快 具备 RAM 功能
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